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                图片 商品型号 制造商 描述 关键参数
                HSCR-0223D 华联

                可控硅输●出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断态※峰值电压:600V

                通态有效电☆流:0.3A

                触发类型:非过零型

                断态临界↘电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-0223P 华联

                可控硅输出型▓光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态峰◤值电压:600V

                通态有效电々流:0.3A

                触发类型:非过零型

                断态临界电压⌒ 上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-1223D 华联

                可控↑硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断态峰值↘电压:600V

                通态↘有效电流:0.6A

                触发类型:非过零型

                断态临界ξ电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-1223P 华联

                可控硅输出∩型光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态◣峰值电压:600V

                通」态有效电流:0.6A

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升△率『:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-2223D 华联

                可控〗硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断态峰值〖电压:600V

                通态◥有效电流:0.9A

                触发类型:非过零型

                断╳态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-2223P 华联

                可控硅输】出型光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态峰值☆电压:600V

                通态有∮效电流○:0.9A

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升→率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-3223D 华联

                可控硅◣输出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断♀态峰值电压:600V

                通态有〓效电流∴:1.2A

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上□升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-3223P 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态峰卐值电压『:600V

                通态☆有效电流:1.2A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-0213D 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断态峰值电ぷ压:600V

                通态有效电流:0.3A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-0213P 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.3A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-1213D 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.6A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-1213P 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.6A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-2213D 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.9A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-2213P 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.9A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-3213D 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:DIP8

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:1.2A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HSCR-3213P 华联

                可控硅输出型光耦

                数据手册

                封装形式:SOP8

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:1.2A

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:≥200

                工作温度:-30~85℃

                介质耐压:5000

                HPC3022-2 华联

                双向晶⌒ 闸管输出型光耦

                封装形式:SOP6

                断态峰值电压:400V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:10mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3022-3 华联

                双向晶〓闸管输出型光耦

                封装形式:DIP6

                断态峰值电压:400V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:10mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3023-2 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:SOP6

                断态峰值电压:400V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:5mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:DIP6

                断态峰值电压:400V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:5mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3052-2 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:SOP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:10mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3052-3 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:DIP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:10mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3053-2 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:SOP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:5mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3053-3 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:DIP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:5mA

                触发类型:非过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3062-2 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:SOP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:10mA

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3062-3 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:DIP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:10mA

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3063-2 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:SOP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:5mA

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms

                HPC3063-3 华联

                双向晶闸管输出型光耦

                封装形式:DIP6

                断态峰值电压:600V

                通态有效电流:0.1A

                LED触发电流:5mA

                触发类型:过零型

                断态临界电压上升率:1000V/μs

                工作温度:-40~85℃

                介质耐压:5000Vrms