图片 |
商品型号 |
制造商 |
描述 |
关键参数 |
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HSCR-0223D |
华联 |
可控硅输●出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
断态※峰值电压:600V
通态有效电☆流:0.3A
触发类型:非过零型
断态临界↘电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-0223P |
华联 |
可控硅输出型▓光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
断态峰◤值电压:600V
通态有效电々流:0.3A
触发类型:非过零型
断态临界电压⌒ 上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-1223D |
华联 |
可控↑硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
断态峰值↘电压:600V
通态↘有效电流:0.6A
触发类型:非过零型
断态临界ξ电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-1223P |
华联 |
可控硅输出∩型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
断态◣峰值电压:600V
通」态有效电流:0.6A
触发类型:非过零型
断态临界电压上升△率『:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-2223D |
华联 |
可控〗硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
断态峰值〖电压:600V
通态◥有效电流:0.9A
触发类型:非过零型
断╳态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-2223P |
华联 |
可控硅输】出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
断态峰值☆电压:600V
通态有∮效电流○:0.9A
触发类型:非过零型
断态临界电压上升→率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-3223D |
华联 |
可控硅◣输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
断♀态峰值电压:600V
通态有〓效电流∴:1.2A
触发类型:非过零型
断态临界电压上□升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-3223P |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
断态峰卐值电压『:600V
通态☆有效电流:1.2A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-0213D |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
断态峰值电ぷ压:600V
通态有效电流:0.3A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-0213P |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.3A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-1213D |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.6A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-1213P |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:SOP8
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.6A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-2213D |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
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封装形式:DIP8
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.9A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-2213P |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
|
封装形式:SOP8
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.9A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-3213D |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
|
封装形式:DIP8
断态峰值电压:600V
通态有效电流:1.2A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HSCR-3213P |
华联 |
可控硅输出型光耦
数据手册
|
封装形式:SOP8
断态峰值电压:600V
通态有效电流:1.2A
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:≥200
工作温度:-30~85℃
介质耐压:5000
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HPC3022-2 |
华联 |
双向晶⌒ 闸管输出型光耦
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封装形式:SOP6
断态峰值电压:400V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:10mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3022-3 |
华联 |
双向晶〓闸管输出型光耦
|
封装形式:DIP6
断态峰值电压:400V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:10mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3023-2 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:SOP6
断态峰值电压:400V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:5mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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| 华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:DIP6
断态峰值电压:400V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:5mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3052-2 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:SOP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:10mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3052-3 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:DIP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:10mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3053-2 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:SOP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:5mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3053-3 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:DIP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:5mA
触发类型:非过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3062-2 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:SOP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:10mA
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3062-3 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:DIP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:10mA
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3063-2 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:SOP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:5mA
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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HPC3063-3 |
华联 |
双向晶闸管输出型光耦
|
封装形式:DIP6
断态峰值电压:600V
通态有效电流:0.1A
LED触发电流:5mA
触发类型:过零型
断态临界电压上升率:1000V/μs
工作温度:-40~85℃
介质耐压:5000Vrms
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